ترانزستور MOSFET IRF820 قدرة 500V 4A

نظرة عامة

الـ IRF820 هو موسفت MOSFET قدرة نوع N-Channel بيتحمل جهود عالية، ومتجيب في علبة TO-220 قوية ومضمونة. بيتحمل جهد Drain-Source لحد 500V وتيار Drain مستمر 4A، وده بيخليه مناسب لتطبيقات السويتشينج القدرة الشاقة. مقاومة التشغيل الواطية بتاعته وسرعة السويتشينج العالية بيخلوه اختيار ممتاز للباور سبلاي، ودوائر التحكم في الموتورات، وأي شغلان سويتشينج جهد عالي تانية.

أهم المميزات

• جهد عالي: بيتحمل جهد Drain-Source لحد 500V، مناسب للدوائر اللي شغالة بجهود عالية.
• تيار قوي: بيتحمل تيار Drain مستمر 4A لأداء قوي وموثوق.
• سويتشينج سريع: متظبط للشغل على الترددات العالية.
• مقاومة تشغيل واطية: بيقلل فقد القدرة وبيحسن الكفاءة.
• علبة TO-220: علبة ستاندرد سهلة التركيب وتبديد الحرارة.

المواصفات التقنية

• جهد Drain-Source (Vdss): 500V
• تيار Drain المستمر (Id): 4A
• نوع العلبة: TO-220
• النوع: MOSFET N-Channel

الاستخدامات والتطبيقات

• باور سبلاي: مثالي لمصادر القدرة من نوع SMPS ومحوّلات DC-DC.
• تحكم في الموتورات: مناسب لدريفرات الموتورات ومتحكمات السرعة.
• الإضاءة: ممكن يتستخدم في درايفريات LED بجهد عالي.
• إنفرترات: اختيار مثالي لدوائر الإنفرتر اللي محتاجة سويتشينج بجهد عالي.
• أمبليفايرات صوت: بيتستخدم في مراحل الخرج لأمبليفايرات الصوت عالية القدرة.

المحتويات

• 1x IRF820 MOSFET (TO-220)

التوافق

• متوافق مع البريد بورد وبوردات الـ PCB العادية.
• ممكن يتستخدم مع الميكروكونترولر عن طريق دوائر Gate Driver مناسبة.
• بيشتغل مع أغلب تصاميم الباور سبلاي ودوائر التحكم في الموتورات.

توصية MOKWN

الـ IRF820 اختيار مضمون للميكرز والمهندسين اللي بيشتغلوا على مشاريع جهد عالي. علبة الـ TO-220 بتسهّل التعامل معاه وتركيب الهيت سينك، وجهد العالي بتاعه بضمن إنه يتحمل أصعب التطبيقات. سواء بتبني باور سبلاي، كنترولر موتور، أو إنفرتر، الـ IRF820 هيديك أداء ثابت بسعر مناسب. اطلبه دلوقتي من MOKWN وشغّل مشروعك!