ترانزستور MOSFET IRF250 قدرة عالية 200V 30A

نظرة عامة

الـ IRF250 هو موسفت N-Channel للقدرة العالية في علبة TO-3 المعدنية المعروفة، بيتحمل جهد 200V بين الـ Drain والـ Source وتيار مستمر 30A، وده بيخليه مثالي لتطبيقات السويتشينج والتكبير عالية القدرة اللي محتاجة ثبات وأداء حراري كويس. سواء بتبني متحكم موتورات، إنفرتر قدرة عالية، أو مكبر صوت، الـ IRF250 هيديك المتانة والكفاءة اللي محتاجها.

أهم المميزات

• جهد تشغيل عالي: بيتحمل جهد 200V (V_DS) بين الـ Drain والـ Source ويناسب خطوط القدرة التقيلة.
• تيار عالي: تيار مستمر 30A (I_D) يشيل الأحمال التقيلة.
• مقاومة داخلية منخفضة: R_DS(on) متظبطة عشان تقلل الفقد أثناء التوصيل.
• علبة TO-3 معدنية: توصيل حراري ممتاز ومتانة ميكانيكية عالية.
• سويتشينج سريع: مصمم للشغل بكفاءة على الترددات العالية.
• N-Channel Enhancement Mode: تحكم وتشغيل سهل ومباشر.

المواصفات الفنية

• جهد Drain-Source (V_DS): 200V
• تيار Drain المستمر (I_D): 30A
• المقاومة الداخلية R_DS(on): 0.085Ω (typical)
• القدرة المبددة P_D: 150W
• جهد Gate-Source (V_GS): ±20V
• درجة حرارة التشغيل: من -55°C لحد +150°C
• العلبة: TO-3 معدنية

الاستخدامات

• التحكم في الموتورات: مناسب لدريفرات موتورات DC والأجزاء الحركية في الروبوتات.
• الإنفرترات: مثالي لتحويل DC لـ AC في أنظمة الـ UPS والطاقة الشمسية.
• باور سبلاي سويتشينج: تحويل قدرة بكفاءة عالية.
• مكبرات الصوت: مراحل خرج صوتية قدرة عالية.
• إدارة البطاريات: دوائر سويتش الأحمال ودوائر الحماية.
• الأتمتة الصناعية: درايفرات للسولينويد والريليهات.

المحتويات

• 1x ترانزستور MOSFET IRF250 (علبة TO-3)

التوافق

• شغال مع الهيت سينكات TO-3 القياسية وأكسسوارات التركيب بتاعتها.
• ينفع كبديل لموسفتات TO-3 تانية بنفس المواصفات.
• شغال مع gate drivers المشهورة ومخرجات الميكروكنترولر (مع level shifting مناسب).

توصية MOKWN

لمحبي الإلكترونيات والمهندسين في مصر، الـ IRF250 اختيار ممتاز للمشاريع عالية القدرة. علبة الـ TO-3 بتضمن تبديد حرارة كويس، وده بيخليه موثوق مع الأحمال التقيلة لفترات طويلة. بننصح تستخدمه مع هيت سينك مناسب وgate driver عشان تجيب أفضل أداء. سواء طالب شغال على مشروع تخرج أو مهندس بيطور معدات صناعية، الـ IRF250 هيديك قدرة تحميل موثوقة بسعر تنافسي.